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08.26
絕緣柵雙極晶體管(IGBT)模塊用AMB氮化鋁陶瓷覆銅基板團(tuán)體標(biāo)準(zhǔn)起草會(huì)議
2018年06月15號(hào)，IGBT模塊封裝用氮化鋁陶瓷基板技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)研討會(huì)在無(wú)錫白金漢爵大酒店順利召開(kāi)并取得了圓滿(mǎn)成功。會(huì)議由中國(guó)IGBT技術(shù)創(chuàng)新與產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟、無(wú)錫天楊電子有限公司主辦，來(lái)自全國(guó)電力電子標(biāo)準(zhǔn)委員會(huì)、工信部標(biāo)準(zhǔn)化研究院、中車(chē)時(shí)代電氣股份有限公司、中車(chē)永濟(jì)電機(jī)半導(dǎo)體分公司、全球能源互聯(lián)網(wǎng)研究院功率半導(dǎo)體所、江蘇宏微科技股份有限公司、上海申和熱磁電子有限公司、浙江德匯電子陶瓷有限公司、西安衛(wèi)光科技有限公司、江蘇中科君芯科技有限公司等單位的20余人參加了本次會(huì)議。
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